TPIC6B273DWR Octal D-type latch ከ150mA/ch ጋር

TPIC6B273 ሞኖሊቲክ፣ ከፍተኛ-ቮልቴጅ፣ መካከለኛ-የአሁኑ፣ የሃይል አመክንዮ ኦክታል ዲ-አይነት መቀርቀሪያ ከዲኤምኦኤስ-ትራንዚስተር ውፅዓቶች ጋር በአንፃራዊነት ከፍተኛ የመጫን ሃይል በሚያስፈልጋቸው ስርዓቶች ውስጥ ለመጠቀም ታስቦ የተሰራ ነው።መሳሪያው ለኢንደክቲቭ ጊዜያዊ ጥበቃ በውጤቶቹ ላይ አብሮ የተሰራ የቮልቴጅ መቆንጠጫ ይዟል።የኃይል ነጂ አፕሊኬሽኖች ሪሌይ፣ ሶሌኖይዶች እና ሌሎች መካከለኛ-የአሁኑ ወይም ከፍተኛ-ቮልቴጅ ጭነቶች ያካትታሉ።

TPIC6B273 ስምንት አዎንታዊ ጠርዝ ይዟል-
የተቀሰቀሰ D-type flip-flops ከቀጥታ ግልጽ ግብዓት ጋር።እያንዳንዱ Flip-flop ክፍት-የውሃ ሃይል DMOS-ትራንዚስተር ውፅዓት አለው።

ግልጽ (CLR \) ከፍ ያለ ሲሆን በዲ ግብዓቶች ላይ የማዋቀር ጊዜ መስፈርቶችን የሚያሟሉ መረጃዎች በአዎንታዊ መልኩ ወደ DRAIN ውጤቶች ይተላለፋሉ-
የሰዓት ጠርዝ (CLK) የልብ ምት.የሰዓት መቀስቀሻ በተወሰነ የቮልቴጅ ደረጃ ላይ የሚከሰት እና ከአዎንታዊ የልብ ምት ሽግግር ጊዜ ጋር በቀጥታ የተያያዘ አይደለም.የሰዓት ግቤት (CLK) በከፍተኛ ወይም ዝቅተኛ ደረጃ ላይ ሲሆን, የ D ግቤት ምልክት በውጤቱ ላይ ምንም ተጽእኖ አይኖረውም.ስምንቱን የDMOS-transistor ውፅዓቶች ለማጥፋት ያልተመሳሰለ CLR ቀርቧል።ለአንድ የተወሰነ ውፅዓት መረጃ ዝቅተኛ ሲሆን የDMOS-transistor ውፅዓት ጠፍቷል።መረጃው ከፍ ባለበት ጊዜ፣ የዲኤምኦኤስ-ትራንዚስተር ውፅዓት መስመጥ-የአሁኑ አቅም አለው።

ውጤቶቹ ዝቅተኛ-ጎን ፣ ክፍት-ፈሳሽ DMOS ናቸው።
ትራንዚስተሮች የ 50 ቮ እና 150-ኤምኤ ቀጣይነት ያለው መስመጥ-የአሁኑ አቅም ያላቸው የውጤት ደረጃዎች።እያንዳንዱ ውፅዓት 500-mA የተለመደ የአሁኑ ገደብ በ
T_C= 25 ° ሴ.ለተጨማሪ መሳሪያ ጥበቃ የመገናኛው ሙቀት መጠን ሲጨምር የአሁኑ ገደብ ይቀንሳል.

TPIC6B273 በሚሠራው የሙቀት መጠን ከ -40 ° ሴ እስከ 125 ዲግሪ ሴንቲግሬድ ባለው ክልል ውስጥ ለመስራት ተለይቶ ይታወቃል።